最新试题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型:判断题
p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
MOS的输出特性曲线中,给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
题型:判断题
MOS管可以分为4类型,其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
题型:判断题
“合金型晶体管”,“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中,目前生产最主要的一种是()。
题型:填空题
双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
题型:填空题
MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
题型:判断题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型:判断题
MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题