晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。