“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

1947年，（）等人制造了第一个晶体管。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

MOS管阈值电压的单位是eV。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。