绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。

半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。