处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

1947年，（）等人制造了第一个晶体管。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

MOS管阈值电压的单位是eV。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。

氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。