最新试题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
题型:填空题
MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
题型:判断题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
题型:判断题
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
题型:填空题
晶体管正常使用过程中,处于正偏的PN结是()结,处于反偏的PN结是()结。
题型:填空题
MOS管可以分为4类型,其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
题型:判断题
晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题