最新试题
双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
题型:填空题
晶体管正常使用过程中,处于正偏的PN结是()结,处于反偏的PN结是()结。
题型:填空题
半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
题型:判断题
晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
题型:判断题
栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。
题型:判断题
p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
实际的MOS管,绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体,其中没有任何杂质和缺陷。
题型:判断题
处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
题型:判断题