名词解释本征半导体
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光电探测器的灵敏度主要取决于其禁带宽度大小。
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MOS管是一种电流型半导体器件,BJT是一种电压型半导体器件。
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TEM观测与SEM相同,对样品厚度没有要求。
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内光电效应
题型:名词解释
半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法。
题型:判断题
通常利用TEM观测的分辨率高于SEM。
题型:判断题
有A和B两种单质晶体,我们知道A的晶格常数是5Å,带隙是1.2eV,B的晶格常数是4Å,其带隙有可能是()eV
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光刻技术中的反刻工艺,通常应用于()的情况。
题型:单项选择题
AFM通常用来观测样品表面形貌。
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所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体。
题型:判断题