比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。

在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，画出Vx从一个大的正值下降时Ix的草图。

试述两种传输线电感，比较其优缺点。

版图DRC、ERC和LVS的意义是什么？

集成电容主要有几种结构？

由硅片生产的半导体产品，又被称为（）。

MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？

什么是无源电阻？什么是有源电阻？举例说明。

目前集成电路版图设计的主流工具有哪些？

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。