根据图，给出M2管的漏极电流表达式。

比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。

由于衬底材料的缘故会自动产生电容，这种电容称为（）。

BiCMOS技术就是将（）和（）的优良性能集中在同一块集成电路器件中。BiCMOS综告了CMOS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。

版图DRC、ERC和LVS的意义是什么？

从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度的SGS要经过（）等步骤。

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。

集成电容主要有几种结构？

材料根据流经材电流的不同可分为三类（）。

编写DRC版图验证文件的主要依据是什么？