为提高CMOS集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施？

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。

半导体工艺技术中，器件互连材料通常包括（）等。

MOS场效应管（MOSFET）在20世纪70年代得到了广泛的接受，从那时起到现在一直是集成电路的主流晶体管。MOSFET有两类（）和（）。每种类型可由各自器件的多数载流子来区别。

晶体管的名字取自于（）和（）两词。

材料根据流经材电流的不同可分为三类（）。

规定版图几何设计规则的意义是什么？

MOS器件存在哪些二阶效应？

什么是电阻率？它的单位是什么（国际标准单位制）？

由于衬底材料的缘故会自动产生电容，这种电容称为（）。