说明直接复合、间接复合的物理意义。

问答题说明直接复合、间接复合的物理意义。

直接：电子在导带和价带之间的直接跃迁而引起的电子和空穴的复合消失过程
间接复合：电子空穴通过禁带中的能级复合

1.问答题为什么不能用费米能级作为非平衡载流子浓度的标准而要引入准费米能级？费米能级和准费米能级有何区别？

2.问答题掺杂、改变温度和光照激发均能改变半导体的电导率，它们之间有何区别？试从物理模型上予以说明。

掺杂：增加浓度，
温度：增加本征载流子
光照：产生非平衡载流子，增加载流子数目

3.问答题区别半导体平衡状态和非平衡状态有何不同？什么叫非平衡载流子？什么叫非平衡载流子的稳定分布？

4.问答题光电导灵敏度与光电导增益因子

5.问答题半导体本征吸收与本征光电导

本征吸收：半导体吸收光子能量大于带隙的光子，使电子直接跃迁到导带。
又本征吸收产生的非平衡载流子的增加使半导体电导率增加。

6.问答题解释耿氏振荡现象，振荡频率取决于哪些参数？

耿氏振荡来源于半导体内的负微分电导，振荡频率决定于外加电压和器件的长度。

7.问答题解释多能谷散射如何影响材料的导电性。

多能谷之间有效质量不同导致迁移率不同，当电子从一能谷跃迁到另一能谷时，迁移率会减低，导致导电性降低。

8.问答题对于仅含一种杂质的锗样品，如果要确定载流子符号、浓度、迁移率和有效质量，应进行哪些测量？

进行霍尔系数测量和回旋共振法测有效质量。

9.问答题电导有效质量和状态密度有效质量有何区别？它们与电子的纵向有效质量和横向有效质量的关系如何？

10.问答题说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化？

迁移率随温度的升高逐渐降低