最新试题
刻蚀过程中聚合物形成的来源有()。
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是()。
当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层,开始形成连续非晶层的注入剂量称为()。
互连工艺中AL的制备可选用()。
多层陶瓷基板多层化的方法包括()。
掺杂后退火时间一般在()。
CE定律发展面临的问题包括()。
硅暴露在空气中,在室温下即可产生二氧化硅层,厚度约为()。
厚膜电阻的成分,一是导体颗粒,二是()。
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项?()