在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用...

填空题在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。

1.填空题某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω，长度和宽度分别为300μm和60μm，则其长度方向和宽度方向上的电阻分别为（）和（）。若要获得1KΩ的电阻，则该材料的长应改变为（）。

2.填空题在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。

3.填空题晶体管的共发射极直流短路电流放大系数是指（）结正偏、（）结零偏时的（）电流与（）电流之比。

4.填空题晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指发射结（）偏、集电结（）偏时的（）电流与（）电流之比。

5.填空题晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。

6.填空题晶体管中的少子在渡越（）的过程中会发生（），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（）。

7.填空题晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。

8.填空题PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。

9.填空题PN结的击穿有三种机理，它们分别是（）、（）和（）。

10.填空题从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（）和（）（）。