P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载...

填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

1.填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

2.填空题对高频晶体管结构上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。

3.填空题晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它们是（）、（发射结势垒电容）和（）。

4.填空题晶体管的高频优值M是（）与（）的乘积

5.填空题基区渡越时间是指（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。

6.填空题随着信号频率的提高，晶体管的幅度会（），相角会（）。

7.填空题无源基区重掺杂的目的是（）。

8.填空题基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。

9.填空题当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（）。

10.填空题当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（）。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（），这称为（）效应。