由于显影时的变形和膨胀，负性光刻胶通常只有2μm的分辨率。 正性光刻胶。
1.将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中。 2.在后续工艺中保护下面的材料。
最新试题
新的平坦化方法有哪几个？（）
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）
刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。
掺杂后退火时间一般在（）。
常压的硅外延方法有（）。
多层陶瓷基板多层化的方法包括（）。
下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？（）
互连工艺中AL的制备可选用（）。
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）
金属化中可选用的金属材料有（）。
