光刻工艺的设备核心是（）。

光刻工艺对准误差包括（）。

三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。

掺杂后退火时间一般在（）。

下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？（）

下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）

新的平坦化方法有哪几个？（）

进行沟槽填充常用的金属材料是（）。

下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）

封装工艺中，银浆固化的温度为（）。