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问答题解释APCVD，使用APCVD SiO₂的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗？

参考答案： 常压化学气相淀积；传统上这些膜通常作为层间介质（ILD），保护覆盖物或者表面平坦化；不是使用硅烷作为反应源。

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1.问答题列出沉积的5种主要技术。

参考答案：

化学气相淀积（cvd）
电镀
物理气相淀积（pvd或溅射）
蒸发
旋涂方法

2.问答题列举并描述薄膜生长的三个阶段。

参考答案：第一步是晶核形成：成束的稳定小晶核形成，这一步发生在起初少量原子或分子反应物结合起来，形成附着在硅片表面的分离的小膜层的...

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3.问答题RTP是热壁系统还是冷壁系统？

参考答案：

是冷壁系统

4.问答题什么是快速热处理，相比于系统炉其6大优点是什么？

参考答案：快速热处理是在非常短的时间内，将单个硅片加热至400~1300摄氏度范围内的一种方法。
优点：减小热预算。硅中...

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5.问答题简述立式炉系统的五部分。

参考答案：工艺腔，硅片传输系统，气体分配系统，尾气系统，温腔系统

6.问答题压力对氧化物生长的影响是什么？

参考答案：生长速率随着压力增大而增大。高压强迫使氧原子更快地穿越正在生长的氧化层，这对线性和抛物线速率系数的增加很重要。这就允许降...

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7.问答题解释晶体晶向对氧化物生长的影响。

参考答案：线性氧化物速率依赖于晶向的原因是（111）面的硅原子密度比（100）面的大。因此，在线性阶段，（111）硅单晶的氧化速率...

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8.问答题掺杂对氧化物生长的影响是什么？

参考答案：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快。

9.问答题举出氧化工艺中掺氯的两个优点。

参考答案：优点：可以中和界面处的电荷堆积；能使氧化速率提高10%到15%。

10.问答题列出Si/Si0₂界面处的4种氧化物电荷。

参考答案：

正的电荷。
负的电荷。
界面陷阱电荷。
可移动氧化物电荷。