刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。

下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）

掺杂后退火时间一般在（）。

如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）

掺杂后，退火的目的是（）。

进行沟槽填充常用的金属材料是（）。

进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）

CMP的设备构成包括（）。

光刻工艺对准误差包括（）。