压力对氧化物生长的影响是什么？_考试资料网

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问答题压力对氧化物生长的影响是什么？

参考答案： 生长速率随着压力增大而增大。高压强迫使氧原子更快地穿越正在生长的氧化层，这对线性和抛物线速率系数的增加很重要。这就允许降...

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1.问答题解释晶体晶向对氧化物生长的影响。

参考答案：线性氧化物速率依赖于晶向的原因是（111）面的硅原子密度比（100）面的大。因此，在线性阶段，（111）硅单晶的氧化速率...

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2.问答题掺杂对氧化物生长的影响是什么？

参考答案：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快。

3.问答题举出氧化工艺中掺氯的两个优点。

参考答案：优点：可以中和界面处的电荷堆积；能使氧化速率提高10%到15%。

4.问答题列出Si/Si0₂界面处的4种氧化物电荷。

参考答案：

正的电荷。
负的电荷。
界面陷阱电荷。
可移动氧化物电荷。

5.问答题如果热生长氧化层厚度为2000A，那么Si消耗多少？

参考答案：920A（每生长1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗）

6.问答题列出热氧化物的硅片制造的六种用途，并给出各种用途的目的。

参考答案：金属层间绝缘阻挡层：用做金属连线间的保护层。
注入屏蔽氧化层：用于减小注入够到和损伤。
势氧化层：做...

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7.问答题为什么删氧要用热生长？

参考答案：因为栅氧与其下的Si具有高质量和稳定性的特点，栅氧一般通过热生长获得。

8.问答题描述场氧化层及其厚度范围。

参考答案：场氧化层：抑制金属层的电荷堆积的厚氧化层
范围：2500~12000 * 10^-10（A...

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9.问答题生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么？

参考答案：在升温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，可以在硅片上得到一层热生长的氧化层；沉积的氧化层可以通过外部供给氧气...

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10.问答题什么是浅槽隔离（STI），它取代了什么工艺？

参考答案：

浅槽隔离（STI）是在衬底制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。
取代了局域氧化工艺（LOCOS）