生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么？

问答题生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么？

1.问答题什么是浅槽隔离（STI），它取代了什么工艺？

浅槽隔离（STI）是在衬底制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。
取代了局域氧化工艺（LOCOS）

2.问答题离子注入后进行退火工艺的原因是什么？

3.问答题刻蚀工艺的目的是什么，这个区中最常用的设备是什么？

目的：硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。
常用设备：等离子刻蚀机，等离子体去胶机和湿法清洗设备。

4.问答题简述有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域。

光刻区，刻蚀区和离子注入区

5.问答题列出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个区域做简单的描述。

6.问答题什么是等离子体，为什么要在等离子体中使用RF能量？

7.问答题什么是外延层，为什么在硅片上使用它？

8.问答题列举硅片的七种质量要求。

9.问答题定义晶体生长，什么是CZ单晶生长法？

10.问答题MOS器件中用的最多的是哪种方向晶向，双极型用的最多的是哪几种？

M.OS ：（100）面的硅片
双极型：（111）面的硅片