浅槽隔离（STI）是在衬底制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。 取代了局域氧化工艺（LOCOS）
目的：硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。 常用设备：等离子刻蚀机，等离子体去胶机和湿法清洗设备。
光刻区，刻蚀区和离子注入区
最新试题
目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）
多层陶瓷基板多层化的方法包括（）。
注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）
进行沟槽填充常用的金属材料是（）。
芯片粘接的工艺过程包括（）。
互连工艺中AL的制备可选用（）。
掺杂后，退火的目的是（）。
影响封装芯片特性的温度有（）。
光刻工艺对准误差包括（）。
硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。
