正的电荷。 负的电荷。 界面陷阱电荷。 可移动氧化物电荷。
最新试题
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是()。
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。
注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关?()
光刻工艺对准误差包括()。
掺杂后退火时间一般在()。
消除鸟嘴效应的方法有()。
金属化中可选用的金属材料有()。
进行光刻工艺前的清洗步骤是()。
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移?()
湿氧氧化采用的氧化水温是()。