化学气相淀积（cvd） 电镀 物理气相淀积（pvd或溅射） 蒸发 旋涂方法
是冷壁系统
正的电荷。 负的电荷。 界面陷阱电荷。 可移动氧化物电荷。
最新试题
如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）
CE定律发展面临的问题包括（）。
光刻工艺的设备核心是（）。
消除鸟嘴效应的方法有（）。
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）
常压的硅外延方法有（）。
影响封装芯片特性的温度有（）。
进行沟槽填充常用的金属材料是（）。
封装工艺中，银浆固化的温度为（）。
光刻工艺对准误差包括（）。
