金属化的实现方法有几种？请论述真空溅射方法。_考试资料网

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问答题金属化的实现方法有几种？请论述真空溅射方法。

参考答案：

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1.问答题VLSI对金属化的要求是什么？

参考答案：

2.问答题PECVD的机理？PECVD有何优势？

参考答案：

机理：等离子体由中性原子团、游离基、分子、离子、少量高能电子组成。
优势：可以较低温度下淀积薄膜，常是低温与低压结合

3.问答题淀积技术包括哪两种？

参考答案：①根据压强分：常压（AP）和低压（LP）
②根据反应室壁冷热分：热壁和冷壁
...

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4.问答题为什么要采用掺氯氧化，作用如何？

参考答案：若在氧化中加Cl器件性能与洁净度都会改善
作用：
A.减弱二氧化硅移动离子（主要钠离子）玷污影响

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5.问答题比较干氧化、湿氧化和水汽氧化的特点。

参考答案：

6.问答题常见的热氧化生长二氧化硅的方法有哪些？

参考答案：

7.问答题简述影响氧化速率的因素？

参考答案：①氧化方式（干氧、湿氧或水汽氧化、等离子增强氧化）气氛：掺氯气氛增加氧化速率。
②气压：氧化速率与氧化剂分压成...

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8.问答题描述热氧化的基本机理和两个阶段。

参考答案：

9.问答题二氧化硅膜的获得方法有哪些？

参考答案：

A.热氧化工艺
B.化学气相淀积工艺
C.溅射工艺
D.阳极氧化工艺

10.问答题简述硅器件中二氧化硅膜的作用？

参考答案：