常见的热氧化生长二氧化硅的方法有哪些？_考试资料网

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问答题常见的热氧化生长二氧化硅的方法有哪些？

参考答案：

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1.问答题简述影响氧化速率的因素？

参考答案：①氧化方式（干氧、湿氧或水汽氧化、等离子增强氧化）气氛：掺氯气氛增加氧化速率。
②气压：氧化速率与氧化剂分压成...

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2.问答题描述热氧化的基本机理和两个阶段。

参考答案：

3.问答题二氧化硅膜的获得方法有哪些？

参考答案：

A.热氧化工艺
B.化学气相淀积工艺
C.溅射工艺
D.阳极氧化工艺

4.问答题简述硅器件中二氧化硅膜的作用？

参考答案：

5.问答题简述外延的软误差

参考答案：①定义：从封装材料中辐射出的α粒子进入衬底产生大量（约106量级）电子-空穴对，在低掺杂MOS衬底中，电子-...

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6.问答题简述外延的工艺多样化

参考答案：①具有相反导电类型的外延层，在器件工艺中可形成结和隔离区；
②薄层外延供器件发展等平面隔离和高速电路；

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7.问答题简述外延的漂移规律

参考答案：

8.问答题外延有何应用？

参考答案：①双极型电路A：n/n+外延 B： n/p外延
②MOS电路外延膜的主要应用是...

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9.问答题简述硅气相外延的原理？

参考答案：

10.问答题简述硅气相外延的过程？

参考答案：

在气相外延生长过程中，有两步：
质量输运过程－－反应剂输运到衬底表面
表面反应过程－－在衬底表面发生化学反应释放出硅原子