问答题简述离子注入掺杂工艺与扩散掺杂工艺的比较
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.问答题简述离子注入原理
2.问答题简述热扩散所需经历的步骤
3.问答题简述扩散原理及满足条件
4.问答题简述掺杂工艺流程
5.问答题简述光刻胶的去除方法的三种?
6.问答题简述干法刻蚀的应用:气体组成及作用?
7.问答题简述刻蚀的要求
8.问答题简述湿法和干法的定义与区别、特点?
9.问答题什么样的光刻设备对应的过程是怎样的?
10.问答题简述正性光刻和负性光刻的概念?优缺点?
最新试题
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。
题型:判断题
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移?()
题型:单项选择题
下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查,是否有出现废品?()
题型:单项选择题
当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层,开始形成连续非晶层的注入剂量称为()。
题型:单项选择题
湿氧氧化采用的氧化水温是()。
题型:单项选择题
进行光刻工艺前的清洗步骤是()。
题型:单项选择题
如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物?()
题型:单项选择题
鸟嘴效应造成的不良影响有()。
题型:多项选择题
掺杂后,退火的目的是()。
题型:多项选择题
光刻工艺的特点包括()。
题型:多项选择题