执业医师考试脊髓灰质炎章节练习(2016.08.29)

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1 下列是晶体的是（）。

2 只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是（）。

3 对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。

4 在通常情况下，GaN呈（）型结构。

5 如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。

6 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）

7 如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。

8 与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）

9 表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；

10 最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。