半导体材料章节练习(2019.04.20)

填空题
半导体晶体缺陷可以分为（）和微观缺陷，以及点阵应变和表面机械损伤。
答案：宏观缺陷
问答题
半导体单晶中的点缺陷包括什么？
答案：空位、填隙原子、络合体、外来原子。
问答题
解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影光刻机努力解决什么问题？
答案：扫描投影光刻机的概念是利用反射镜系统把有1：1图像的整个掩膜图形投影到硅片表面，其原理是，紫外光线通过一个狭缝聚焦在硅片...
单项选择题
如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.
A.1/（NA-ND.eｕp
B.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e
D.1/（NA+ND.eｕp
问答题
从微观上看，漩涡缺陷与错位缺陷有什么区别？
答案：漩涡缺陷：微观上漩涡条纹由大量的浅蚀坑组成。是条纹处出现密集的平底浅坑单晶或腐蚀小丘单晶。
位错缺陷：它属于...
名词解释
亚阈值导电
答案：
当晶体管栅偏置电压低于阈值反型点时，MOSFET中的导电过程。
名词解释
电流集边
答案：
基极串联电阻的横向压降使得发射结电流为非均值。
问答题
什么是沟道效应？抑制方法？
答案：1）沟道效应：衬底为单晶材料，离子束准确的沿着晶格方向注入，几乎不会受到原子核的散射，其纵向分布峰值与高斯分布不同。一部...
单项选择题
功率三角形中，功率因数角所对的边是（）。
A、视在功率
B、瞬时功率
C、有功功率
D、无功功率
名词解释
复合电流
答案：
穿越空间电荷区时发生复合的电子与空穴所产生的正偏pn结电流。