半导体集成电路章节练习(2020.01.07)

来源：考试资料网
1.问答题氧化工艺产生的SiO2为何种类型？并说明其结构对其强度和密度的影响。
参考答案：半导体工艺中用热氧化法生长的SiO2是典型的无定形SiO2。无定形SiO
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2.名词解释瞬态上升时间
参考答案：tr-输出电压Vo从低电平VOL上升到高电平VOH的时间间隔。Rise-上升。
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3.问答题在STI的形成步骤中有一道liner oxide（线形氧化层）， liner oxide 的特性功能为何？
参考答案：

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4.问答题一般硅片的制造（wafer process）过程包含哪些主要部分？
参考答案：①前段（frontend）-元器件（device）的制造过程。
②后段（backend）-金属导线的连接及护层...
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5.问答题采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点？
参考答案：采用负载电阻会占用大量的芯片面积，而晶体管占用的硅片面积通常比负载电阻小，并且有源负载反相器电路比无源负载反相器有更好的...
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6.问答题运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为 20W/cm2，该电阻上的压降为5V，设计此电阻。
参考答案：

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7.问答题写出传输门电路主要的三种类型和他们的缺点。
参考答案：

NMOS传输门，不能正确传输高电平
PMOS传输门，不能正确传输低电平
CMOS传输门，电路规模较大。

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8.问答题硅化物（salicide）的形成步骤主要可分为哪些？
参考答案：①Co（或Ti）+TiN的沉积；
②第一次RTA（快速热处理）来形成Salicide。
③将未反应的...
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9.问答题YE工程师的主要工作内容？
参考答案：① 负责生产过程中异常缺陷事故的追查分析及改善工作的调查与推动。
② 评估并建立各项缺陷监...
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