半导体集成电路章节练习(2020.06.09)
来源：考试资料网
参考答案：P阱光刻，光刻有源区，光刻多晶硅，P+区光刻，N+区光刻，光刻接触孔，光刻铝线 参考答案：PCM (Process control monitor) SPEC广义而言是指芯片制造过程中所有工艺量测项目的规格,狭... 参考答案：动态组合逻辑电路由输出信号与电源之间插入的时钟信号PMOS,NMOS逻辑网和逻辑网与地之间插入的时钟信号NMOS组成。当... 参考答案：指崩溃电压（击穿电压），在 Vg=Vs=0时，Vd所能承受的最大电压，当Vd大于此电压时，源、漏之间形成导电沟... 参考答案：① Check MES系统， 察看自己Lot情况
② 处理in&ens... 参考答案：中测：封装前对完成加工的硅片上的所有芯片进行的探针测试和电学测试，已选择出可用的芯片。
成测：对封装后的芯片进... 参考答案：
B：P型杂质，OED；
P：N型杂质，深结，OED；
AS：N型杂质，离子注入精确控制结深。
参考答案：输出不确定区域（非静态区域）宽度，VW=VIHmin-VILmax。
