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微电子学填空题每日一练(2019.03.22)
来源:考试资料网
1.填空题
PN结的掺杂浓度越高,雪崩击穿电压越();结深越浅,雪崩击穿电压就越()。
参考答案:
小;小
2.填空题
()集成电路已成为集成电路的主流。
参考答案:
CMOS
3.填空题
PN结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是();PN结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是()。
参考答案:
多子;少子
4.填空题
当集电结反偏增加时,集电结耗尽区宽度会(),使基区宽度(),从而使集电极电流(),这就是基区宽度调变效应()。
参考答案:
变宽;变窄;增大;即厄尔利效应
5.填空题
一般认为MOS集成电路功耗低、(),宜用作数字集成电路。
参考答案:
集成度高