微电子学章节练习(2020.03.15)

来源：考试资料网

1.问答题简单解释费米能级和准费米能级，说明它们的主要区别。

2.问答题MOS管的开启电压有那些因素决定？

参考答案：由栅下半导体中的载流子浓度、栅氧化层的厚度、栅氧化层的固定电荷密度、可动电荷密度、界面态密度等有关

3.填空题曝光后显影时感光的胶层溶解了，没有感光的胶层不溶解留下了，这种胶称为（）胶。

4.问答题写出单晶硅太阳能电池的主要工艺。

参考答案：1. 去除损伤层
2. 表面绒面化
3. 发射区扩散
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5.问答题解释APCVD，使用APCVD SiO₂的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗？

参考答案：常压化学气相淀积；传统上这些膜通常作为层间介质（ILD），保护覆盖物或者表面平坦化；不是使用硅烷作为反应源。

6.名词解释Die芯片裸片

参考答案：以硅工艺为例，一般把整片的硅片叫做wafer，通过工艺流程后每一个单元会被划片，封装。在封装前的单个单元的裸片叫做die...

7.填空题金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度高于（）时可实现（）。

参考答案：肖特基接触、欧姆接触和合金接触；10¹⁷/cm³；肖特基接触；10²⁰/cm³；欧姆接触

8.问答题在双极集成电路和MOS集成电路工艺中，为什么都要用外延层？

参考答案：在双极集成电路工艺中，采用高阻的外延层可提高集电结的击穿电压，而其低阻的衬底（或埋层）可降低集电极的串联电阻。在MOS集...

9.问答题简述硅的基本性质？它的优点？

10.问答题Si片定位边或定位槽的作用是什么？

参考答案：Si片定位边或定位槽有三个主要的作用：
①识别晶向、导电类型及划片方向；
②硅片（晶锭）机械加工定位...