微电子学章节练习(2020.01.28)

来源：考试资料网

1.判断题在热氧化过程的初始阶段，二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定，处于线性氧化阶段。

2.填空题当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

3.问答题解释PN节的单向导电性？

参考答案：载流子漂移（电流）和扩散（电流）过程保持平衡（相等），形成自建场和自建势在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一...

4.问答题离子注入后的RTA流程

1、晶圆进入
2、温度急升
3、温度趋稳
4、退火
5、晶圆冷却
6、晶圆退出

5.问答题解释增强型晶体管和耗尽型晶体管使用情况的区别。

参考答案：增强型和耗尽型场效应晶体管，总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅...

6.填空题扩散分布的主要测量方法有：（）。

参考答案：四探针测电阻率、扩展电阻测载流子分布、霍尔效应测电阻率、染色法测结深、二次离子质谱测杂质分布、卢瑟福背散射测重杂质分布

7.填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。

参考答案：沟道夹断；载流子漂移速度的饱和

8.问答题给出硅片制造中光刻胶的两种目的。

1.将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中。
2.在后续工艺中保护下面的材料。

9.问答题集成电路设计和分立电路设计相比，有哪些特点？

参考答案：①集成电路对设计正确性提出了更为严格的要求。
②集成电路外引出端的数目不可能与芯片内器件的数目同步增加，因此设...

10.问答题什么是leftoff技术？优点和缺点是什么？

参考答案：Liftoff技术是一种有别与干法和湿法刻蚀的介质薄膜，特别是金属薄膜特殊剥离去除技术
优点是：样品不必做实际...