微电子学章节练习(2019.12.12)

来源：考试资料网

1.问答题简要说明正胶和负胶的关光刻原理与特性。

参考答案：原理：临时性地涂覆在硅片表面，通过曝光转移设计图形到光刻胶上。
负胶特性：
1曝光后不可溶解

2.填空题 注入离子的射程主要由（）决定。确定注入离子分布的主要参数是（）及其（）。注入离子分布的一级近似为（）。可写成：

参考答案：离子能量、离子种类和衬底材料；平均投影射程；标准偏差；高斯分布

3.填空题 免可控硅效应的方法从（）寄生管的总增益，以及消除寄生晶体管出发，主要有：
1. （）；
2. （）；
3. 使用可以吸收注入电荷的（）；
4. （）；
5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的产生。

参考答案：降低；增加基区宽度（即P-NMOS管的间距和阱深）；增加基区掺杂；保护环；采用深槽隔离；采用SOI材料作衬底

4.名词解释激发-松弛碰撞

参考答案：当电子和原子或者分子碰撞时，电子没有脱离核的束缚，而是跃迁到更高的能级叫激发。处于激发状态的电子落回到基态或者最低能级叫...

5.名词解释MPW多项目晶圆

参考答案：是将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，单次制造费用由所有参加MPW的项目按照芯片面积分摊，减小产品开发...

6.名词解释欧姆接触

参考答案：当金属与半导体的接触电阻小到可忽略不计时，称为欧姆接触。

7.问答题使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么？

参考答案：最主要的是用于亚微米光刻的投影掩膜版衬底材料是熔融石英。不透明材料是一薄层铬。

8.问答题RCA清洗，用什么样药水？洗什么样的沾污？

9.问答题什么是leftoff技术？优点和缺点是什么？

参考答案：Liftoff技术是一种有别与干法和湿法刻蚀的介质薄膜，特别是金属薄膜特殊剥离去除技术
优点是：样品不必做实际...

10.判断题对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。