如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）

硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。

碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。

IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。

常压的硅外延方法有（）。

湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）

金属化中可选用的金属材料有（）。

封装工艺中，银浆固化的温度为（）。

新的平坦化方法有哪几个？（）