光刻工艺的设备核心是（）。

封装工艺中，银浆固化的温度为（）。

影响封装芯片特性的温度有（）。

掺杂后，退火的目的是（）。

CE定律发展面临的问题包括（）。

碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。

下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？（）

硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）

厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。

进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。