A、20℃.3d
B、10℃.3d
C、10℃.1d
D、20℃.1d
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A、3mm.5mm
B、3mm.3mm
C、5mm.5mm
D、5mm.3mm
A、10min~20min相反
B、10min~20min相同
C、10min相反
D、20min相同
A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、0.1MPa,0.01MPa
B、0.01MPa,0.1MPa
C、0.01MPa,0.01MPa
D、0.1MPa,0.1MPa
A、50
B、150
C、50或150
D、50~150
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
A、(20±5)℃48h
B、(20±5)℃24h
C、(20±10)℃48h
D、(20±10)℃24h
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
最新试题
在通常情况下,GaN呈()型结构。
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
改良西门子法的显著特点不包括()
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()