A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A、0.1MPa,0.01MPa
B、0.01MPa,0.1MPa
C、0.01MPa,0.01MPa
D、0.1MPa,0.1MPa
A、50
B、150
C、50或150
D、50~150
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
A、(20±5)℃48h
B、(20±5)℃24h
C、(20±10)℃48h
D、(20±10)℃24h
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、最长裂纹
B、最短裂纹
C、裂纹长度平均值
D、裂纹长度总和
A、大面1mm
B、条面1mm
C、大面0.5mm
D、条面0.5mm
A、大面.1mm
B、条面.1mm
C、大面.0.5mm
D、条面.0.5mm
最新试题
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
改良西门子法的显著特点不包括()
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
PN结的基本特性是()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
下列哪个不是单晶常用的晶向()