A、整砖.1/2砖.1/4砖
B、整砖.1/2砖.1/2砖
C、整砖.整砖.1/2砖或1/4
D、整砖.整砖.整砖
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A、整砖.1/2砖.1/4砖
B、整砖.1/2砖.1/2砖
C、整砖.整砖.1/2砖
D、整砖.整砖.1/4砖
A、-15℃~-20℃10℃~20℃
B、-10℃~-20℃15℃~20℃
C、-15℃~-20℃15℃~20℃
D、-10℃~-20℃10℃~20℃
A、20℃.24h.48h
B、10℃.24h.48h
C、20℃.48h.24h
D、10℃.48h.24h
A、20℃.3d
B、10℃.3d
C、10℃.1d
D、20℃.1d
A、3mm.5mm
B、3mm.3mm
C、5mm.5mm
D、5mm.3mm
A、10min~20min相反
B、10min~20min相同
C、10min相反
D、20min相同
A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、0.1MPa,0.01MPa
B、0.01MPa,0.1MPa
C、0.01MPa,0.01MPa
D、0.1MPa,0.1MPa
最新试题
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
改良西门子法的显著特点不包括()
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
在通常情况下,GaN呈()型结构。