A、-15℃~-20℃10℃~20℃
B、-10℃~-20℃15℃~20℃
C、-15℃~-20℃15℃~20℃
D、-10℃~-20℃10℃~20℃
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A、20℃.24h.48h
B、10℃.24h.48h
C、20℃.48h.24h
D、10℃.48h.24h
A、20℃.3d
B、10℃.3d
C、10℃.1d
D、20℃.1d
A、3mm.5mm
B、3mm.3mm
C、5mm.5mm
D、5mm.3mm
A、10min~20min相反
B、10min~20min相同
C、10min相反
D、20min相同
A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、0.1MPa,0.01MPa
B、0.01MPa,0.1MPa
C、0.01MPa,0.01MPa
D、0.1MPa,0.1MPa
A、50
B、150
C、50或150
D、50~150
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
最新试题
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
下列哪个不是单晶常用的晶向()
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
悬浮区熔的优点不包括()
用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
可用作硅片的研磨材料是()