A、整砖.1/2砖.1/4砖
B、整砖.1/2砖.1/2砖
C、整砖.整砖.1/2砖
D、整砖.整砖.1/4砖
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A、-15℃~-20℃10℃~20℃
B、-10℃~-20℃15℃~20℃
C、-15℃~-20℃15℃~20℃
D、-10℃~-20℃10℃~20℃
A、20℃.24h.48h
B、10℃.24h.48h
C、20℃.48h.24h
D、10℃.48h.24h
A、20℃.3d
B、10℃.3d
C、10℃.1d
D、20℃.1d
A、3mm.5mm
B、3mm.3mm
C、5mm.5mm
D、5mm.3mm
A、10min~20min相反
B、10min~20min相同
C、10min相反
D、20min相同
A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、0.1MPa,0.01MPa
B、0.01MPa,0.1MPa
C、0.01MPa,0.01MPa
D、0.1MPa,0.1MPa
A、50
B、150
C、50或150
D、50~150
最新试题
下列哪个不是单晶常用的晶向()
可用作硅片的研磨材料是()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
改良西门子法的显著特点不包括()
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
热处理中氧沉淀的形态不包括()