A、(20±3)℃.(60±20)%
B、(20±3).℃90%以上
C、(20±1)℃.(60±20)%
D、(20±1)℃.90%以上
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A、1
B、2
C、3
D、4
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
A、10℃~20℃
B、10℃~30℃
C、20℃~30℃
D、0℃~30℃
A、整砖.1/2砖.1/4砖
B、整砖.1/2砖.1/2砖
C、整砖.整砖.1/2砖或1/4
D、整砖.整砖.整砖
A、整砖.1/2砖.1/4砖
B、整砖.1/2砖.1/2砖
C、整砖.整砖.1/2砖
D、整砖.整砖.1/4砖
A、-15℃~-20℃10℃~20℃
B、-10℃~-20℃15℃~20℃
C、-15℃~-20℃15℃~20℃
D、-10℃~-20℃10℃~20℃
A、20℃.24h.48h
B、10℃.24h.48h
C、20℃.48h.24h
D、10℃.48h.24h
A、20℃.3d
B、10℃.3d
C、10℃.1d
D、20℃.1d
A、3mm.5mm
B、3mm.3mm
C、5mm.5mm
D、5mm.3mm
A、10min~20min相反
B、10min~20min相同
C、10min相反
D、20min相同
最新试题
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
悬浮区熔的优点不包括()
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
PN结的基本特性是()
硅片抛光在原理上不可分为()
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
可用作硅片的研磨材料是()