A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
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A、0.01kg
B、0.05kg
C、0.005kg
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A、250N/s
B、100N/s
C、300kN/s
D、1000N/s
A、1~3kN/s
B、10~30kN/s
C、1~30kN/s
D、3~10kN/s
A、1~3mm
B、1~5mm
C、3~5mm
D、5~8mm
A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
A、(20±3)℃.(60±20)%
B、(20±3).℃90%以上
C、(20±1)℃.(60±20)%
D、(20±1)℃.90%以上
A、1
B、2
C、3
D、4
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
A、10℃~20℃
B、10℃~30℃
C、20℃~30℃
D、0℃~30℃
A、整砖.1/2砖.1/4砖
B、整砖.1/2砖.1/2砖
C、整砖.整砖.1/2砖或1/4
D、整砖.整砖.整砖
最新试题
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
硅片抛光在原理上不可分为()
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
PN结的基本特性是()
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
下列哪个不是单晶常用的晶向()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;