A、1~3mm
B、1~5mm
C、3~5mm
D、5~8mm
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A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
A、(20±3)℃.(60±20)%
B、(20±3).℃90%以上
C、(20±1)℃.(60±20)%
D、(20±1)℃.90%以上
A、1
B、2
C、3
D、4
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
A、10℃~20℃
B、10℃~30℃
C、20℃~30℃
D、0℃~30℃
A、整砖.1/2砖.1/4砖
B、整砖.1/2砖.1/2砖
C、整砖.整砖.1/2砖或1/4
D、整砖.整砖.整砖
A、整砖.1/2砖.1/4砖
B、整砖.1/2砖.1/2砖
C、整砖.整砖.1/2砖
D、整砖.整砖.1/4砖
A、-15℃~-20℃10℃~20℃
B、-10℃~-20℃15℃~20℃
C、-15℃~-20℃15℃~20℃
D、-10℃~-20℃10℃~20℃
A、20℃.24h.48h
B、10℃.24h.48h
C、20℃.48h.24h
D、10℃.48h.24h
A、20℃.3d
B、10℃.3d
C、10℃.1d
D、20℃.1d
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下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()
铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
硅片抛光在原理上不可分为()
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;