A、1.2
B、2.4
C、3.6
D、1.5.3
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A、55±5
B、40±5
C、80±5
D、90±5
A、100mm×100mm×100mm.5组
B、100mm×100mm×300mm.5组
C、100mm×100mm×400mm.5组
D、100mm×100mm×100mm.1组
A、5
B、10
C、15
D、20
A、1
B、2
C、4
D、5
A、-10
B、-15
C、-20
D、-25
A、100mm×100mm×100mm.3块
B、100mm×100mm×100mm.2块
C、100mm×100mm×300mm.3块
D、100mm×100mm×400mm.3块
A、最大值
B、最小值
C、算术平均值
D、中间值
A、20
B、30
C、40
D、50
A、8
B、10
C、12
D、13
A、5~8
B、6~10
C、7~9
D、6~12
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原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
在通常情况下,GaN呈()型结构。
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如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
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CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
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