A.390mm×190㎜×190mm
B.390㎜×240㎜×190㎜
C.490mmX370mmX370mm
D.370mmX240mmX240㎜
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A、100mm×100mm×100mm.2组
B、100mm×100mm×100mm.3组
C、100mm×100mm×300mm.2组
D、100mm×100mm×400mm.2组
A、20±5
B、20±3
C、30±3
D、40±5
A、1.2
B、2.4
C、3.6
D、1.5.3
A、55±5
B、40±5
C、80±5
D、90±5
A、100mm×100mm×100mm.5组
B、100mm×100mm×300mm.5组
C、100mm×100mm×400mm.5组
D、100mm×100mm×100mm.1组
A、5
B、10
C、15
D、20
A、1
B、2
C、4
D、5
A、-10
B、-15
C、-20
D、-25
A、100mm×100mm×100mm.3块
B、100mm×100mm×100mm.2块
C、100mm×100mm×300mm.3块
D、100mm×100mm×400mm.3块
A、最大值
B、最小值
C、算术平均值
D、中间值
最新试题
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
在通常情况下,GaN呈()型结构。
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
可用作硅片的研磨材料是()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
PN结的基本特性是()