A、100mm×100mm×100mm.2组
B、100mm×100mm×100mm.3组
C、100mm×100mm×300mm.2组
D、100mm×100mm×400mm.2组
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A、20±5
B、20±3
C、30±3
D、40±5
A、1.2
B、2.4
C、3.6
D、1.5.3
A、55±5
B、40±5
C、80±5
D、90±5
A、100mm×100mm×100mm.5组
B、100mm×100mm×300mm.5组
C、100mm×100mm×400mm.5组
D、100mm×100mm×100mm.1组
A、5
B、10
C、15
D、20
A、1
B、2
C、4
D、5
A、-10
B、-15
C、-20
D、-25
A、100mm×100mm×100mm.3块
B、100mm×100mm×100mm.2块
C、100mm×100mm×300mm.3块
D、100mm×100mm×400mm.3块
A、最大值
B、最小值
C、算术平均值
D、中间值
A、20
B、30
C、40
D、50
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最新试题
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
可用作硅片的研磨材料是()
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
悬浮区熔的优点不包括()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()