A.JF1
B.FS2
C.JL1
D.FF
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A.JF1
B.JS2
C.JS1
D.FF
A.夹具间距为50mm
B.沥青断裂延伸率为试件沥青层出现孔洞、裂口时的断裂延伸率
C.取五个试件的平均值,拉力单位为N/50mm
D.夹具间距为200mm
A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
A.聚乙烯膜
B.聚酯膜
C.细砂
D.无膜双面自粘
A.2.0mm
B.3.0mm
C.4.0mm
D.1.5mm
A.拉伸性能尺寸(纵向×横向)100×25(mm),纵横各5个
B.耐热性(纵向×横向)100×50(mm),3个
C.低温柔性(纵向×横向)150×25(mm),10个
D.不透水性150×150mm,3个
A.最大拉力单位为N/50mm,对应的延伸率用百分比表示
B.分别记录每个方向5个试件的拉力值和延伸率,计算平均值
C.拉力的平均值修约到5N,延伸率修约到1%
D.拉力的平均值修约到1N,延伸率修约到0.1%
A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
A.3mm、4mm、5mm厚度卷材弯曲直径均为50mm
B.3mm、4mm厚度卷材弯曲直径为30mm,5mm厚度卷材弯曲直径为50mm
C.3mm厚度卷材弯曲直径为30mm,4mm、5mm厚度卷材弯曲直径均为50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材弯曲直径均为30mm
最新试题
铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
可用作硅片的研磨材料是()
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
下列哪个不是单晶常用的晶向()
PN结的基本特性是()
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()