A.聚乙烯膜
B.聚酯膜
C.细砂
D.无膜双面自粘
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A.2.0mm
B.3.0mm
C.4.0mm
D.1.5mm
A.拉伸性能尺寸(纵向×横向)100×25(mm),纵横各5个
B.耐热性(纵向×横向)100×50(mm),3个
C.低温柔性(纵向×横向)150×25(mm),10个
D.不透水性150×150mm,3个
A.最大拉力单位为N/50mm,对应的延伸率用百分比表示
B.分别记录每个方向5个试件的拉力值和延伸率,计算平均值
C.拉力的平均值修约到5N,延伸率修约到1%
D.拉力的平均值修约到1N,延伸率修约到0.1%
A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
A.3mm、4mm、5mm厚度卷材弯曲直径均为50mm
B.3mm、4mm厚度卷材弯曲直径为30mm,5mm厚度卷材弯曲直径为50mm
C.3mm厚度卷材弯曲直径为30mm,4mm、5mm厚度卷材弯曲直径均为50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材弯曲直径均为30mm
A、拉伸试样尺寸为200mm×25mm
B、夹持距离为120mm
C、拉伸速率为(100±10)mm/min
D、拉伸速率为(250±50)mm/min
A、20mm
B、30mm
C、40mm
D、50mm
A、对于整个试验应准备五个试件
B、在试样上距边缘100mm以上任意裁取
C、正方形试件尺寸为(100±1)mm×(100±1)mm
D、试件在试验前至少在(23±2)℃和相对湿度30%~70%的条件下放置20h
A、(100±1)mm×(100±1)mm
B、(100±2)mm×(100±2)mm
C、(50±2)mm×(50±2)mm
D、(50±1)mm×(50±1)mm
A、距边缘100mm以上
B、距边缘20mm以上
C、距边缘50mm以上
D、距边缘80mm以上
最新试题
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
属于晶体缺陷中面缺陷的是()